型号: STW18N65M5
功能描述: MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 9.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
Pd-功率耗散: 110 W
配置: Single
商标名: MDmesh
封装: Tube
系列: STW18N65M5
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
单位重量: 38 g
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