型号:  STW19NM50N

功能描述:  MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  500 V

Id-连续漏极电流:  14 A

Rds On-漏源导通电阻:  250 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  2 V

Qg-栅极电荷:  34 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  110 W

配置:  Single

商标名:  MDmesh

封装:  Tube

系列:  STW19NM50N

晶体管类型:  N-Channel

类型:  MDmesh II Power MOSFET

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  17 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  16 ns

工厂包装数量:  600

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  61 ns

典型接通延迟时间:  12 ns

单位重量:  38 g