型号: STW20NM60FD
功能描述: MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 290 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 214 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: FDmesh
封装: Tube
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
系列: STW20NM60FD
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 22 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 38 g
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