型号: STW28N60M2
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II Plus
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss): 600V
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 24A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 37nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1370pF @ 100V
Vgs(最大值): ±25V
功率耗散(最大值): 170W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 150 毫欧 @ 12A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
封装形式Package: TO-247
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 650V
连续漏极电流ID: 22A
RoHS: 符合 RoHS
最高工作温度: + 150 C
190 W: Pd - 功率消耗
安装风格: Through Hole
品牌: STMicroelectronics
最低工作温度: - 55 C
标准包装数量: 30
晶体管极性: N-Channel
Vds - 漏-源击穿电压: 600 V
Vgs - 闸极-源极击穿电压: 25 V
Id - C连续漏极电流: 24 A
Rds On - 漏-源电阻: 120 m0hms
配置: Single
Vgs th - 门源门限电压: 3 V
37 nC: Qg - 闸极充电
无铅情况/RoHs: 否
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