型号: STW34NM60N
功能描述: MOSFET N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR MO
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 31.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 84 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Tube
系列: STW34NM60N
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
下降时间: 73 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 36 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 104 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 38 g
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