型号: STW35N65M5
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件： STW35N65M5 View All Specifications
产品培训模块： 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
标准包装： 30
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： MDmesh? V
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 27A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 98 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 83nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 3750pF @ 100V
功率 - 最大值： 160W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商器件封装： TO-247-3
其它名称： 497-11000-5STW35N65M5-ND
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