型号: STW37N60DM2AG
功能描述: MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 28 A
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 54 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 210 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: MDmesh
封装: Tube
高度: 5.15 mm
长度: 20.15 mm
产品: Power MOSFET
系列: STW37N60DM2AG
类型: High Voltage
宽度: 15.75 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 10.7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 68 ns
典型接通延迟时间: 21.2 ns
单位重量: 38 g
联系人:赵伟滨
电话:19926488141
Q Q:
联系人:祝小姐
电话:13612861520
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:刘群
电话:13129599479
联系人:蔡永记
电话:18617195508
联系人:徐吉刚
电话:13426409278
联系人:沈绪根
电话:18148590336
Q Q:
联系人:刘云飞
电话:13456975315
Q Q: