型号: STW45NM50FD
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列: FDmesh™
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 45A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 120nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 3600pF @ 25V
Vgs(最大值): ±30V
功率耗散(最大值): 417W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 100 毫欧 @ 22.5A,10V
工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
封装形式Package: TO-247
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 500V
连续漏极电流ID: 45A
无铅情况/RoHs: 否
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:赵文川
电话:18021059766
联系人:陈梦,李丽
联系人:李虹
电话:17670849816