型号:  STW65N65DM2AG

功能描述:  MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  60 A

Rds On-漏源导通电阻:  50 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  27 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  446 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  MDmesh

封装:  Tube

高度:  5.15 mm

长度:  20.15 mm

产品:  Power MOSFET

系列:  STW65N65DM2AG

类型:  High Voltage

宽度:  15.75 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  11.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  13.5 ns

工厂包装数量:  600

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  114 ns

典型接通延迟时间:  33 ns

单位重量:  38 g