型号: STWA68N60M6
功能描述: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 63 A
Rds On-漏源导通电阻: 41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 106 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 390 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
系列: STWA68N60M6
晶体管类型: 1 N Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 42 ns
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