型号: SUD19N20-90T1-E3
功能描述: Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
制造商: vishay / siliconix
包装： 3DPAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 200 V
最大连续漏极电流： 19 A
RDS -于： 90@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 15 ns
典型上升时间： 50 ns
典型关闭延迟时间： 30 ns
典型下降时间： 60 ns
工作温度： -55 to 175 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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