型号: SUD40N02-08-E3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 600mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 35nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2660pF @ 20V
功率耗散（最大值）： 8.3W（Ta），71W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 8.5 毫欧 @ 20A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：周先生
电话：13692104516
Q Q:
联系人：张恒
电话：13823130171
Q Q:
联系人：岑小姐
电话：13549236572
Q Q:
