型号: SUD50N02-06-E3
功能描述: MOSFET N-CH 20V 30A TO252
制造商: Vishay Siliconix
标准包装: 2,000
类别: 分立式导体产品
家庭: FET - 单
系列: TrenchFET®
包装: 带卷 (TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss): 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时): 30A (Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值): 6 毫欧 @ 30A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 600mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): 130nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): 6600pF @ 20V
功率 - 最大值: 100W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252,(D-Pak)
ROHS: 无铅
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