型号:  SIHP14N50D-GE3

功能描述:   MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB

制造商:  VISHAY

单位包：  1000

最小起订量：  1000

FET特点：  Standard

封装：  Tube

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  14A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  5V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：  500V

标准包装：  1,000

供应商设备封装：  TO-220AB

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  400 mOhm @ 7A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  208W

封装/外壳：  TO-220-3

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1144pF @ 100V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  58nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :14A

Drain Source Voltage Vds：  :500V

On Resistance Rds(on)：  :0.32ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :3V

功耗：  :208W

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :TO-220AB

No. of Pins：  :3

MSL：  :-

工作温度范围：  :-55°C to +150°C

Weight (kg)：  0.002

Tariff No.：  85412900