型号: SIHW22N65E-GE3
功能描述: MOSFET 650V 180mOhms@10V 22A N-Ch E-SRS
制造商: Vishay / Siliconix
安装风格： Through Hole
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
配置： Single
源极击穿电压： +/- 20 V
连续漏极电流： 22 A
系列： E
封装/外壳： TO-247 AD
RDS（ON）： 180 mOhms
封装： Bulk
功率耗散： 227 W
最低工作温度： - 55 C
正向跨导 - 闵： 6.7 S
栅极电荷Qg： 110 nC
典型关闭延迟时间： 73 ns
上升时间： 33 ns
最高工作温度： + 150 C
漏源击穿电压： 650 V
RoHS： RoHS Compliant
下降时间： 38 ns
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