型号: TC58CVG2S0HQAIE
功能描述:
制造商: Toshiba Memory America, Inc.
存储器类型： 非易失
存储器格式： 闪存
技术： FLASH - NAND （SLC）
存储容量： 4Gb （512M x 8）
时钟频率： 104MHz
访问时间： 280µs
存储器接口： SPI - 四 I/O
电压 - 电源： 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装： 16-SOP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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