型号:  TC6320K6-G

功能描述:  MOSFET N AND P-CH 200V MOSFET

制造商:  Microchip Technology

制造商:  Microchip

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  1 A

Rds On-漏源导通电阻:  7 Ohms, 8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.37 mm

长度:  4.89 mm

产品:  MOSFET Small Signal

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:  3.91 mm

商标:  Microchip Technology

正向跨导 - 最小值:  400 mS, 400 mS

下降时间:  15 ns, 15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15 ns, 15 ns

工厂包装数量:  3300

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  20 ns, 20 ns

典型接通延迟时间:  10 ns, 10 ns

单位重量:  37.400 mg