型号: TGF2023-20
功能描述: 100 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT
制造商: TriQuint
技术类型: HEMT
频率: 18 GHz
增益: 15 dB
漏源电压 VDS: 40 V
闸/源击穿电压: - 3 V
漏极连续电流: 6 A
最大工作温度: + 150 C
功率耗散: 80 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 17-Pin-Die
P1dB: 50 dBm
零件号别名: 1068840
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