型号: TGF2953
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 18.2 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Id-连续漏极电流: 820 mA
输出功率: 41.6 dBm
最大漏极/栅极电压: 100 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 17 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
封装: Gel Pack
配置: Single
工作频率: 15 GHz
工作温度范围: - 65 C to + 150 C
商标: Qorvo
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
零件号别名: 1112257
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：Freya
电话：13636653728
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：钟小姐
电话：19925150239
Q Q:
联系人：林生
电话：13725502818
Q Q:
