型号: TGF2955
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制： 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 19.2 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
输出功率: 46.4 dBm
最大漏极/栅极电压: 100 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 41 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
封装: Gel Pack
配置: Single
工作频率: 15 GHz
工作温度范围: - 65 C to + 150 C
商标: Qorvo
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
零件号别名: 1112260
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