型号: TGF2977-SM
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 13 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.7 V
Id-连续漏极电流: 326 mA
输出功率: 6 W
最大工作温度: + 225 C
Pd-功率耗散: 8.4 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-16
封装: Tray
配置: Single
高度: 0.203 mm
长度: 3 mm
工作频率: DC to 12 GHz
类型: GaN SiC HEMT
宽度: 3 mm
商标: Qorvo
通道数量: 1 Channel
开发套件: TGF2977-SMEVB1
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
零件号别名: 1127257
单位重量: 57.100 mg
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：朱先生，李小姐
Q Q:
联系人：魏女士，黄生
电话：15019239738
Q Q:
联系人：林小姐
Q Q:
