型号: TGF2978-SM
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制： 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 11 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.7 V
Id-连续漏极电流: 1.3 A
输出功率: 19 W
最大工作温度: + 225 C
Pd-功率耗散: 33 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-20
封装: Tray
配置: Single
高度: 0.203 mm
长度: 4 mm
工作频率: DC to 12 GHz
类型: GaN SiC HEMT
宽度: 3 mm
商标: Qorvo
通道数量: 1 Channel
开发套件: TGF2978-SMEVB1
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 10
子类别: Transistors
零件号别名: 1127373
单位重量: 123 mg
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