型号: TJ10S04M3L(T6L1,NQ
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 19nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： +10V，-20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 930pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 10V
功率耗散（最大值）： 27W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 44 毫欧 @ 5A，10V
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： DPAK+
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：贾敏
电话：15338888199
Q Q:
联系人：吴柔
电话：18177911802
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13642999982
Q Q:
