型号: TJ15P04M3
功能描述: Toshiba P沟道 MOSFET TJ15P04M3, 15 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
制造商: Toshiba
通道类型： P
最大连续漏极电流： 15 A
最大漏源电压： 40 V
最大漏源电阻值： 48 m0hms
最大栅阈值电压： 2V
最小栅阈值电压： 0.8V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： DPAK
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 29 W
典型接通延迟时间： 19 ns
典型关断延迟时间： 170 ns
典型输入电容值@Vds： 1100 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs： 26 nC @ 10 V
每片芯片元件数目： 1
宽度： 7.18mm
长度： 6.6mm
高度： 2.3mm
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 6.6 x 7.18 x 2.3mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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