型号: TJ8S06M3L
功能描述: Toshiba P沟道 MOSFET TJ8S06M3L, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
制造商: Toshiba
通道类型： P
最大连续漏极电流： 8 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 130 m0hms
最大栅阈值电压： 3V
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+10 V
封装类型： DPAK
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 27 W
典型接通延迟时间： 14 ns
典型关断延迟时间： 140 ns
典型输入电容值@Vds： 890 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs： 19 nC @ 10 V
每片芯片元件数目： 1
宽度： 7mm
长度： 6.5mm
高度： 2.3mm
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 6.5 x 7 x 2.3mm
汽车标准： AEC-Q101
最高工作温度： +175 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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