型号: TK100E06N1
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E06N1, 263 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 263 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 2.3 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 255 W
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 10.16mm
高度： 15.1mm
系列： TK
宽度： 4.45mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 140 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 10500 pF @ 30 V
典型关断延迟时间： 180 ns
典型接通延迟时间： 110 ns
尺寸： 10.16 x 4.45 x 15.1mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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