型号: TK100E10N1,S1X(S
功能描述: MOSFET,N-channel,100V,207A,TO220
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 207 A
最大漏源电压: 100 V
最大漏源电阻值: 3.4 m0hms
最大栅阈值电压: 4V
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: TO-220
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 开关调节器
最大功率耗散: 255 W
每片芯片元件数目: 1
尺寸: 10.16 x 4.45 x 15.1mm
宽度: 4.45mm
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 140 nC @ 10 V
高度: 15.1mm
系列: U-MOSVIII-H
典型输入电容值@Vds: 8800 pF @ 50 V
典型关断延迟时间: 140 ns
典型接通延迟时间: 59 ns
正向二极管电压: 1.2V
最高工作温度: +150 °C
长度: 10.16mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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