型号:  TK10A60E,S5X

功能描述:   MOSFET N-CH 600V TO220SIS

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

FET特点：  Standard

封装：  Tube

安装类型：  Through Hole

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 1mA

封装/外壳：  TO-220-3 Full Pack

供应商设备封装：  TO-220SIS

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  750 mOhm @ 5A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  45W

标准包装：  150

漏极至源极电压（Vdss）：  600V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  10A (Ta)

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1300pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  40nC @ 10V

工厂包装数量：  50

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：  600 V

晶体管类型：  1 N-Channel

Qg - Gate Charge：  40 nC

系列：  TK10A60E

品牌：  Toshiba

Id - Continuous Drain Current：  10 A

身高：  15.1 mm

安装风格：  Through Hole

长度：  10.16 mm

通道数：  1 Channel

Rds On - Drain-Source Resistance：  750 mOhms

Pd - Power Dissipation：  45 W

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

技术：  Si

RoHS：  RoHS Compliant