型号:  TK10A80E,S4X

功能描述:  MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220FP-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  800 V

Id-连续漏极电流:  10 A

Rds On-漏源导通电阻:  700 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  46 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  50 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  DTMOSIV

高度:  15 mm

长度:  10 mm

系列:  TK10A80E

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.5 mm

商标:  Toshiba

下降时间:  35 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  40 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  140 ns

典型接通延迟时间:  80 ns

单位重量:  6 g