型号: TK10E60W,S1VX(S
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10E60W,S1VX(S, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 9.7 A
最大漏源电压: 600 V
最大漏源电阻值: 380 m0hms
最大栅阈值电压: 3.7V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: TO-220
安装类型: 通孔
晶体管配置: 单
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 100 W
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
高度: 15.1mm
长度: 10.16mm
系列: TK
宽度: 4.45mm
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 20 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 700 pF @ 300 V
典型关断延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
尺寸: 10.16 x 4.45 x 15.1mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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