型号: TK10J80E
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10J80E, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 10 A
最大漏源电压： 800 V
最大漏源电阻值： 1 0hms
最大栅阈值电压： 4V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-3PN
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 250 W
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 15.5mm
高度： 20mm
系列： TK
宽度： 4.5mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 46 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 2000 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 140 ns
典型接通延迟时间： 80 ns
尺寸： 15.5 x 4.5 x 20mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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