型号: TK11Q65W,S1Q(S
功能描述: MOSFET,N-channel,650V,11.1A,IPAK
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 11.1 A
最大漏源电压: 650 V
最大漏源电阻值: 440 m0hms
最大栅阈值电压: 3.5V
最小栅阈值电压: 2.5V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: IPAK (TO-251)
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 开关调节器
最大功率耗散: 100 W
典型接通延迟时间: 45 ns
典型关断延迟时间: 85 ns
典型输入电容值@Vds: 890 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs: 25 nC @ 10 V
晶体管材料: Si
系列: DTMOSIV
每片芯片元件数目: 1
宽度: 2.3mm
长度: 6.65mm
高度: 7.12mm
正向二极管电压: 1.7V
尺寸: 6.65 x 2.3 x 7.12mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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