型号: TK12P60W,RVQ(S
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 11.5 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 340 m0hms
最大栅阈值电压： 3.7V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 100 W
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 6.6mm
高度： 2.3mm
系列： TK
宽度： 6.1mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 25 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 890 pF @ 300 V
典型关断延迟时间： 85 ns
典型接通延迟时间： 45 ns
尺寸： 6.6 x 6.1 x 2.3mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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