TK14E65W,S1X(S规格参数_TK14E65W,S1X(S全国代理商/分销商

型号: TK14E65W,S1X(S
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK14E65W,S1X(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 13.7 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 250 m0hms
最大栅阈值电压： 3.5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-220
安装类型：通孔
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 130 W
长度： 10.16mm
尺寸： 10.16 x 4.45 x 15.1mm
系列： TK
高度： 15.1mm
典型栅极电荷@Vgs： 35 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1300 pF @ 300 V
典型关断延迟时间： 110 ns
典型接通延迟时间： 60 ns
宽度： 4.45mm
每片芯片元件数目： 1
最高工作温度： +150 °C
晶体管材料： Si
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs