型号: TK20C60W,S1VQ(S2
功能描述: MOSFET,N-channel,600V,20A,I2PAK
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 20 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 155 m0hms
最大栅阈值电压： 3.7V
最小栅阈值电压： 2.7V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： I2PAK (TO-262)
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 开关调节器
最大功率耗散： 165 W
尺寸： 10 x 4.5 x 10.4mm
宽度： 4.5mm
系列： DTMOSIV
高度： 10.4mm
最高工作温度： +150 °C
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 48 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1680 pF @ 300 V
典型关断延迟时间： 100 ns
典型接通延迟时间： 50 ns
每片芯片元件数目： 1
长度： 10mm
正向二极管电压： 1.7V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：李先生
电话：13543302665
Q Q:
联系人：陈泽铭
Q Q:
联系人：段林洋
电话：13410549683
Q Q:
