型号: TK28N65W,S1F
功能描述: MOSFET Power MOSFET N-Channel
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 27.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 94 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 75 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 230 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 20.95 mm
长度: 15.94 mm
系列: TK28N65W
宽度: 5.02 mm
商标: Toshiba
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
单位重量: 38 g
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：庄
Q Q:
联系人：李先生
电话：13798566306
Q Q:
