型号: TK30E06N1,S1X
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： TK30E06N1 -
特色产品： Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET Toshiba - U-MOSⅧ-H MOSFETs
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 43A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 15 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1050pF @ 30V
功率 - 最大值： 53W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220-3
其它名称： TK30E06N1,S1X(STK30E06N1S1X
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：林生
电话：13723768232
Q Q:
联系人：卡洛斯
电话：88743289
Q Q:
联系人：亚东
电话：18038078310
Q Q:
