型号: TK31E60W,S1VX
功能描述: MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 30.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 86 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 230 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
高度: 15.1 mm
长度: 10.16 mm
系列: TK31E60W
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.45 mm
商标: Toshiba
下降时间: 8.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 32 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 165 ns
典型接通延迟时间: 70 ns
单位重量: 6 g
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