型号: TK31E60W,S1VX(S
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 31 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 88 m0hms
最大栅阈值电压： 3.7V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-220
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 230 W
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 10.16mm
高度： 15.1mm
系列： TK
宽度： 4.45mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 86 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 3000 pF @ 300 V
典型关断延迟时间： 165 ns
典型接通延迟时间： 70 ns
尺寸： 10.16 x 4.45 x 15.1mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：王俊涛
电话：18312353274
Q Q:
联系人：朱生，陈小姐
电话：13691729768
Q Q:
