型号: TK31V60W5
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET TK31V60W5, 30.8 A, Vds=600 V, 5引脚 DFN封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 30.8 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 109 m0hms
最大栅阈值电压： 4.5V
最小栅阈值电压： 3V
最大栅源电压： ±30 V
封装类型： DFN
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 5
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 240 W
典型接通延迟时间： 120 ns
典型关断延迟时间： 165 ns
典型输入电容值@Vds： 3000 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs： 105 nC @ 10 V
每片芯片元件数目： 1
宽度： 8mm
高度： 0.85mm
正向二极管电压： 1.7V
尺寸： 8 x 8 x 0.85mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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