型号: TK32E12N1,S1X(S
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK32E12N1,S1X(S, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 60 A
最大漏源电压： 120 V
最大漏源电阻值： 13.8 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 98 W
高度： 15.1mm
尺寸： 10.16 x 4.45 x 15.1mm
宽度： 4.45mm
最高工作温度： +150 °C
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 34 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 2000 pF @ 60 V
典型关断延迟时间： 43 ns
典型接通延迟时间： 33 ns
长度： 10.16mm
每片芯片元件数目： 1
系列： TK
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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