型号: TK33S10N1Z
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET TK33S10N1Z, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 33 A
最大漏源电压: 100 V
最大漏源电阻值: 9.7 m0hms
最大栅阈值电压: 4V
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: ±20 V
封装类型: DPAK
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 125 W
高度: 2.3mm
正向二极管电压: 1.2V
每片芯片元件数目: 1
尺寸: 6.5 x 7 x 2.3mm
长度: 6.5mm
汽车标准: AEC-Q101
典型栅极电荷@Vgs: 28 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 2050 pF @ 10 V
典型关断延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 21.6 ns
最高工作温度: +175 °C
宽度: 7mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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