型号: TK33S10N1Z,LQ
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： TK33S10N1Z -
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 33A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 9.7 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2050pF @ 10V
功率 - 最大值： 78.9W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： DPAK+
其它名称： TK33S10N1Z,LQ(OTK33S10N1ZLQTR
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