型号: TK35A08N1,S4X(S
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK35A08N1,S4X(S, 35 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 35 A
最大漏源电压: 80 V
最大漏源电阻值: 12.2 m0hms
最大栅阈值电压: 4V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: TO-220SIS
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 30 W
每片芯片元件数目: 1
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 25 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 1700 pF @ 40 V
最高工作温度: +150 °C
典型接通延迟时间: 28 ns
宽度: 4.5mm
高度: 15mm
系列: TK
尺寸: 10 x 4.5 x 15mm
长度: 10mm
典型关断延迟时间: 35 ns
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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