型号: TK35N65W,S1F(S
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 35 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 80 m0hms
最大栅阈值电压： 3.5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-247
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 270 W
最高工作温度： +150 °C
长度： 15.94mm
高度： 20.95mm
系列： TK
尺寸： 15.94 x 5.02 x 20.95mm
每片芯片元件数目： 1
典型栅极电荷@Vgs： 100 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 4100 pF @ 300 V
典型关断延迟时间： 150 ns
典型接通延迟时间： 70 ns
宽度： 5.02mm
晶体管材料： Si
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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