型号: TK35N65W,S1F
功能描述: MOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 68 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 100 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 270 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 20.95 mm
长度: 15.94 mm
系列: TK35N65W
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.02 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
单位重量: 38 g
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