TK35E08N1,S1X(S规格参数_TK35E08N1,S1X(S全国代理商/分销商

型号: TK35E08N1,S1X(S
功能描述: Toshiba U-MOSVIII-H 系列 Si N沟道 MOSFET TK35E08N1,S1X(S, 55 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 55 A
最大漏源电压： 80 V
最大漏源电阻值： 12.2 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220
安装类型：通孔
引脚数目： 3
通道模式：增强
类别：开关调节器
最大功率耗散： 72 W
宽度： 4.45mm
典型接通延迟时间： 28 ns
典型关断延迟时间： 35 ns
典型输入电容值@Vds： 1700 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs： 25 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： U-MOSVIII-H
每片芯片元件数目： 1
长度： 10.16mm
高度： 15.1mm
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 10.16 x 4.45 x 15.1mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs