型号:  TK39N60X,S1F

功能描述:  MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  38.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  85 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  270 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  DTMOSIV

高度:  20.95 mm

长度:  15.94 mm

系列:  TK39N60X

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.02 mm

商标:  Toshiba

正向跨导 - 最小值:  -

下降时间:  6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  35 ns

工厂包装数量:  30

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  155 ns

典型接通延迟时间:  60 ns

单位重量:  38 g