型号: TK3A60DA(STA4,Q,M)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 9nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 380pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 2.8 欧姆 @ 1.3A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220SIS
封装/外壳： TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈生
电话：13713818425
Q Q:
联系人：JUANY
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18194045272
Q Q:
