型号:  TK40E06N1,S1X

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

数据列表：  TK40E06N1 -

特色产品：  Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET Toshiba - U-MOSⅧ-H MOSFETs

标准包装：  50

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  -

包装：  管件

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  40A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  10.4 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 300µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  23nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  1700pF @ 30V

功率 - 最大值：  67W

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-220-3

供应商器件封装：  TO-220-3

其它名称：  TK40E06N1,S1X(STK40E06N1S1X